(امروز : شنبه 13 شهريورماه 1389) صفحه اصلی    جستجو    تماس با ما    نقشه سایت    راهنماي سایت      


 
   جستجوي پيشرفته
 
  منوی اصلی  
صفحه اصلی
راهنمای مهمان
جدول تناوبی
نوبلیست ها
جدول ایزوتوپی
  مطالب
اخبار و تازه ها
مقالات شیمی
آزمایشگاه شیمی
دانشمندان شیمی
نانو تکنولوژی
شیمی عمومی
شیمی تجزیه
شیمی آلی
شیمی فیزیک
شیمی معدنی
کتاب های شیمی
معرفی نرم افزار
سایت های شیمی
نمونه سوالات
  دریافت فایل
نرم افزار های شیمی
کتابخانه الکترونیکی
آموزش الکترونیکی
مجلات الکترونیکی
مقالات شیمی
  محصولات
معرفي محصولات سايت
  و ...
لینکستان
گالری تصاویر
تالار گفتگو
درباره ما
تماس با ما
عضویت
  دوستان  






  اطلاعات  

اصلی : مقالات شيمي :

 مقالات شيمي  »  کریستالوگرافی ، مغناطیس پذیری ، ظرفیت گرمایی و مقاومت الکتریکی فرمیون سنگین ... اندازه فایل :  294.60 KB    آمار دریافت : 81
 
Crystallography, magnetic susceptibility, heat capacity, and electrical resistivity of heavy fermion LiV2O4 single crystals grown using a self-flux technique
 
 

S. Das,1 X. Zong,1 A. Niazi,1 A. Ellern,2 J. Q. Yan,1 and D. C. Johnston1
1Ames Laboratory and Department of Physics and Astronomy, Iowa State University, Ames, Iowa 50011
2Department of Chemistry, Iowa State University, Ames, Iowa 50011
(Dated: February 1, 2008)
 
 



Magnetically pure spinel compound LiV2O4 is a rare d-electron heavy fermion. Measurements on single crystals are needed to clarify the mechanism for the heavy fermion behavior in the pure material. In addition, it is known that small concentrations (< 1 mol%) of magnetic defects in the structure strongly affect the properties, and measurements on single crystals containing magnetic defects would help to understand the latter behaviors. Herein, we report flux growth of LiV2O4 and preliminary measurements to help resolve these questions. The magnetic susceptibility of some as-grown crystals show a Curie-like upturn at low temperatures, showing the presence of magnetic defects within the spinel structure. The magnetic defects could be removed in some of the crystals by annealing them at 700 C. A very high specific heat coefficient  = 450 mJ/(mol K2) was obtained at a temperature of 1.8 K for a crystal containing a magnetic defect concentration ndefect = 0.5 mol%. A crystal with ndefect = 0.01 mol% showed a residual resistivity ratio of 50.

Powered by araz cms 2.2 © 1383-1389 arazweb